Компанія Samsung Electronics заявила про розробку 8 Гб RDIMM модуля пам’яті на базі екологічної технології Green DDR3 DRAM. Новий модуль пам’яті вже успішно пройшов тестування. Порівняно з попередніми розробками, він відрізняється значно більшою продуктивністю, в основному за рахунок використання тривимірної технології формування багаторівневої структури чіпа TSV (Through-silicon via).
8-Гб RDIMM модуль пам’яті, що використовує технологію 3D TSV, економить до 40% енергії в порівнянні зі звичайною пам’яттю RDIMM. Технологія TSV дозволить збільшити щільність запису більш ніж на 50% і скоротити кількість роз’ємів для модулів пам’яті в серверних системах наступного покоління, а також допоможе знизити енергоспоживання серверів, при цьому збільшивши місткість пам’яті і продуктивність.
Технологія TSV передбачає використання в кремнієвій платі вертикальних мікронних отворів з мідною заливкою. При використанні такого виду з’єднання замість традиційного значно збільшується швидкість передачі інформації. Численні власні тести довели готовність технології TSV від Samsung до використання з різними серверними додатками, які вимагають високої продуктивності і великих енерговитрат.
Широке поширення тривимірної TSV-технології почнеться приблизно в 2012 році. Samsung планує застосувати переваги технології TSV у вузлах, виконаних за технологією 30-нм і інших, більш сучасних, процесах.
